Glossário IA
O dicionário completo da Inteligência Artificial
RRAM
Memória resistiva de acesso aleatório baseada nas propriedades dos memristores para armazenar informações modificando a resistência de um material dielétrico.
Condutância sináptica
Parâmetro elétrico em circuitos neuromórficos que simula a força de conexão entre neurônios, ajustando a condutância do memristor de acordo com a atividade elétrica.
Memristância
Propriedade fundamental de um memristor que caracteriza sua resistência variável, dependente do histórico da corrente que atravessou o componente.
Histerese resistiva
Fenômeno onde a resistência de um memristor depende não apenas da tensão aplicada, mas também de seu estado anterior, criando um ciclo de histerese característico.
Filamento condutor
Microestrutura metálica ou oxidada formada no dielétrico de um memristor pela migração de íons, criando um caminho de condução localizado e reversível.
Estado de resistência
Configuração quantificada da resistência de um memristor (HRS ou LRS) representando os estados lógicos ou os pesos sinápticos em aplicações neuromórficas.
Comutação eletroquímica
Mecanismo de mudança de resistência em memristores baseado na migração de íons e reações redox sob o efeito de um campo elétrico.
Dendrito metálico
Estrutura ramificada de metal formada por eletrodeposição no dielétrico de um memristor, responsável pela mudança abrupta de condutância entre estados.
Memristor de óxido metálico
Tipo de memristor que utiliza óxidos metálicos como HfO₂, TiO₂ ou Ta₂O₅ como dielétrico para obter propriedades de comutação resistiva confiáveis.
Computação na Memória
Abordagem arquitetônica onde os cálculos são realizados diretamente nas células de memória (memristores), eliminando o gargalo de von Neumann entre processador e memória.
Eletrônica não volátil
Tecnologia baseada em memristores que permite manter o estado lógico sem alimentação contínua, essencial para sistemas neuromórficos autônomos.
Tensão de formação
Tensão inicial necessária para ativar um memristor novo, criando o primeiro filamento condutor, condição prévia para seu funcionamento normal.
Operações SET/RESET
Procedimentos de programação de memristores onde SET passa para o estado de baixa resistência e RESET para o estado de alta resistência, simulando a plasticidade sináptica.