Glosario IA
El diccionario completo de la Inteligencia Artificial
RRAM
Memoria resistiva de acceso aleatorio basada en las propiedades de los memristores para almacenar información modificando la resistencia de un material dieléctrico.
Conductancia sináptica
Parámetro eléctrico en los circuitos neuromórficos que simula la fuerza de conexión entre neuronas ajustando la conductancia del memristor según la actividad eléctrica.
Memristancia
Propiedad fundamental de un memristor que caracteriza su resistencia variable que depende del historial de la corriente que ha atravesado el componente.
Histéresis resistiva
Fenómeno donde la resistencia de un memristor depende no solo del voltaje aplicado sino también de su estado anterior, creando un ciclo de histéresis característico.
Filamento conductor
Microestructura metálica u oxidada formada en el dieléctrico de un memristor por migración de iones, creando un camino de conducción localizado y reversible.
Estado de resistencia
Configuración cuantificada de la resistencia de un memristor (HRS o LRS) que representa los estados lógicos o los pesos sinápticos en las aplicaciones neuromórficas.
Conmutación electroquímica
Mecanismo de cambio de resistencia en los memristores basado en la migración de iones y las reacciones redox bajo el efecto de un campo eléctrico.
Dendrita metálica
Estructura ramificada de metal formada por electrodeposición en el dieléctrico de un memristor, responsable del cambio abrupto de conductancia entre estados.
Memristor de óxido metálico
Tipo de memristor que utiliza óxidos metálicos como HfO₂, TiO₂ o Ta₂O₅ como dieléctrico para obtener propiedades de conmutación resistiva fiables.
In-Memory Computing
Enfoque arquitectónico donde los cálculos se realizan directamente en las celdas de memoria (memristores), eliminando el cuello de botella de von Neumann entre procesador y memoria.
Electrónica no volátil
Tecnología basada en memristores que permite conservar el estado lógico sin alimentación continua, esencial para los sistemas neuromórficos autónomos.
Voltaje de formación
Tensión inicial requerida para activar un memristor nuevo creando el primer filamento conductor, condición previa para su funcionamiento normal.
Operaciones SET/RESET
Procedimientos de programación de memristores donde SET pasa al estado de baja resistencia y RESET al estado de alta resistencia, simulando la plasticidad sináptica.