Глоссарий ИИ
Полный словарь искусственного интеллекта
RRAM
Mémoire résistive à accès aléatoire basée sur les propriétés des memristors pour stocker l'information en modifiant la résistance d'un matériau diélectrique.
Conductance synaptique
Paramètre électrique dans les circuits neuromorphiques qui simule la force de connexion entre neurones en ajustant la conductance du memristor selon l'activité électrique.
Memristance
Propriété fondamentale d'un memristor caractérisant sa résistance variable qui dépend de l'historique du courant ayant traversé le composant.
Hystérésis résistive
Phénomène où la résistance d'un memristor dépend non seulement de la tension appliquée mais aussi de son état précédent, créant un cycle d'hystérésis caractéristique.
Filament conducteur
Microstructure métallique ou oxydée formée dans le diélectrique d'un memristor par migration d'ions, créant un chemin de conduction localisé et réversible.
État de résistance
Configuration quantifiée de la résistance d'un memristor (HRS ou LRS) représentant les états logiques ou les poids synaptiques dans les applications neuromorphiques.
Switching électrochimique
Mécanisme de changement de résistance dans les memristors basé sur la migration d'ions et les réactions redox sous l'effet d'un champ électrique.
Dendrite métallique
Structure ramifiée de métal formée par électrodéposition dans le diélectrique d'un memristor, responsable du changement abrupt de conductance entre états.
Мемристор на оксиде металла
Тип мемристора, использующий оксиды металлов, такие как HfO₂, TiO₂ или Ta₂O₅, в качестве диэлектрика для получения надежных резистивных переключающих свойств.
Вычисления в памяти
Архитектурный подход, при котором вычисления выполняются непосредственно в ячейках памяти (мемристорах), устраняя узкое место фон Неймана между процессором и памятью.
Неволатильная электроника
Технология на основе мемристоров, позволяющая сохранять логическое состояние без постоянного питания, важная для автономных нейроморфных систем.
Напряжение формирования
Начальное напряжение, необходимое для активации нового мемристора путем создания первого проводящего филамента, предварительное условие для его нормальной работы.
Операции SET/RESET
Процедуры программирования мемристоров, где SET переводит в состояние низкого сопротивления, а RESET - в состояние высокого сопротивления, симулируя синаптическую пластичность.